Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD220PBF
MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD220
IRFD220PBF Hakkında
IRFD220PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 800mA drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 4-DIP through-hole pakette sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (800mΩ @ 10V) ve hızlı komutasyon özelliği ile power management, motor kontrolü, relay sürücülüğü ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 1W güç tüketim kapasitesi ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 480mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok