Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD220
MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD220
IRFD220 Hakkında
IRFD220, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli akım kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 800mOhm on-state direncine sahiptir. Through-hole 4-HVMDIP paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 14nC gate yükü ve 260pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon özelliği sağlar. Lojik seviye kontrolü için uygun olup, ±20V maksimum gate gerilimi toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 480mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok