Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD220
0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD220
IRFD220 Hakkında
IRFD220, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajı ve 800mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate drive voltajında maksimum 800mOhm'luk Rds(on) değerine sahiptir. Gate charge değeri 14nC (@10V) ve input kapasitansi 260pF (@25V) olarak belirlenmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1W güç yayabilir. Through-hole montaj tipine sahip 4-DIP (Hexdip, HVMDIP) pakette sunulmaktadır. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi genel amaçlı anahtarlama görevlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 480mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok