Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFD214PBF

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRFD214

IRFD214PBF Hakkında

IRFD214PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltajı ve 450mA sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 2Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Through-hole 4-HVMDIP paket ile monte edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans sunar. Anahtar uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve küçük güç seviyesindeki anahtar uygulamalarında tercih edilir. 1W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 450mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 270mA, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok