Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD213
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD213
IRFD213 Hakkında
IRFD213, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 450mA sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 4-HVMDIP paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynağı devreleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. 2Ohm on-resistance değeri ile uygun güç verimliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygundur. Bileşen üretimi sona ermiştir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 450mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 270mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok