Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD210
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD210
IRFD210 Hakkında
IRFD210, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajı ve 600mA sürekli drain akımı ile çalışabilir. 4-HVMDIP paketinde sunulan bu through-hole bileşen, 10V gate drive voltajında 1.5Ohm RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge değeri 8.2nC ve input kapasitesi 140pF olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Düşük sinyal anahtarlama, güç yönetimi ve gerilim regülasyon uygulamalarında kullanılan bu MOSFET, 1W maksimum güç dağılımı ile tasarlanmıştır. Bileşen mevcut üretim listesinde bulunmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok