Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD210
0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD210
IRFD210 Hakkında
IRFD210, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajı ve 600mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 1.5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışabilen bu transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Through-hole DIP paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok