Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD1Z3
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD1Z3
IRFD1Z3 Hakkında
IRFD1Z3, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 400mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 1W maksimum güç tüketimi ile entegre devrelerin kontrol sinyalleri, sensör arayüzleri ve düşük seviyeli lojik geçidi uygulamalarında tercih edilir. 3.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli açma-kapama işlemini sağlar. ±20V Vgs voltaj aralığı ve -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve gömülü sistem tasarımlarında esneklik sunar. Through-hole 4-DIP paket ile geleneksel PCB montajını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok