Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD123PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD123
IRFD123PBF Hakkında
IRFD123PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 1.3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 4DIP through-hole paketi ile PCB'lere doğrudan entegre edilebilir. 10V gate sürücü gerilimi ile çalışır ve 270mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı dijital kontrol uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. 360pF giriş kapasitansi ve 16nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok