Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD123
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD123
IRFD123 Hakkında
IRFD123, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 1.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 270mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Through-hole montajı için 4-HVMDIP paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtar devreler, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 16nC gate charge ve 360pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon için uygundur. 4V threshold gerilimi ile güvenilir gate kontrolü sağlar. Ürün artık üretilmemekte olup, mevcut stoklardan temin edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok