Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD122
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD122
IRFD122 Hakkında
IRFD122, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 400mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 10V drive voltajında hızlı komütasyon özelliği gösterir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok