Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD121
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD121
IRFD121 Hakkında
IRFD121, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj ve 1.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 300mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. 10V drive voltajında çalışan bu transistör, anahtarlama devreleri, sinyal kontrolü ve küçük güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 4-DIP through-hole paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok