Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD120
IRFD120PBF Hakkında
IRFD120PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahip ve 270mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtar işlemleri gerçekleştirir. 10V gate geriliminde çalıştırılmaya uygun olup, ±20V maksimum gate-source gerilim sınırlaması vardır. Through-hole 4-HVMDIP paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor denetim uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok