Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD113PBF
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD113
IRFD113PBF Hakkında
IRFD113PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4-pin DIP through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 10V sürüş geriliminde 800mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı dijital kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 7nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok