Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD113
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD113
IRFD113 Hakkında
IRFD113, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Through-hole montaj tipinde 4-HVMDIP paket içinde sunulan bu bileşen, 800mOhm maksimum kapı-kaynak direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1W güç dissipasyonu yapabilir. Gate charge değeri 7nC ve input kapasitans 200pF olarak belirtilmiştir. Anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetim sistemlerinde kullanılan bu MOSFET, ±20V gate gerilim toleransı ile geniş bir uygulama alanına sahiptir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok