Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD111
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD111
IRFD111 Hakkında
IRFD111, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistördür. 80V Vdss ile orta voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1A sürekli drain akımı ve 600mOhm RDS(on) ile anahtar uygulamaları, sinyal yönetimi ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. 10V drive voltajında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığına dayanır. Through hole DIP pakajlı tasarımı ile breadboard ve PCB prototiplerine uygun olup, 1W güç disipasyon kapasitesine sahiptir. Analog anahtarlama, ses frekans amplifikasyonu ve düşük güç kontrol devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok