Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD110
1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD110
IRFD110 Hakkında
IRFD110, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı ile çalışan bu transistör, 540mOhm maksimum kanal direnci (10V gate geriliminde 600mA akımda) özelliğine sahiptir. 4-DIP (Hexdip, HVMDIP) paket tipi ile sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge değeri (8.3nC) ve 180pF input kapasitansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüsü, güç anahtarlaması ve dijital mantık seviyelendirme uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok