Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD024PBF
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD024
IRFD024PBF Hakkında
IRFD024PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı ile çalışabilir. 100mOhm On-resistance (Rds On) değeri ile güç tüketimini minimize eder. 4-pin DIP pakette gelen bu transistör, through-hole montajı destekler ve -55°C ile 175°C arasında çalışır. Gate charge değeri 25nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtar uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok