Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD020PBF
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD020
IRFD020PBF Hakkında
IRFD020PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 50V drain-source voltaj sınırlaması ve 2.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 4-HVMDIP DIP paket tipinde Through Hole montajı için tasarlanmıştır. 100mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sağlar. Hızlı gate şarj karakteristiği (24nC @ 10V) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir. TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumlu olup, boost dönüştürücüler, DC-DC regülatörler ve genel güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok