Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFD014PBF

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
4-HVMDIP
Seri / Aile Numarası
IRFD014

IRFD014PBF Hakkında

IRFD014PBF, Vishay tarafından üretilen bir N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 1.7A sürekli dren akımı yeteneğine sahiptir. 4-HVMDIP through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 200mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü voltajında çalışan cihaz, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Motör kontrolleri, solenoid sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok