Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD010PBF
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD010
IRFD010PBF Hakkında
IRFD010PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 200mOhm on-direnci ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 4-pin DIP paketinde sunulan IRFD010, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate yükü 13nC ve input kapasitanı 250pF olan bu MOSFET, düşük güç uygulamaları, motorlu kontrol devreleri, anahtar mod güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen artık üretim dışıdır ancak eski sistemlerde değiştirme işlemleri için temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 860mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok