Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFD010
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 4-HVMDIP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFD010
IRFD010 Hakkında
IRFD010, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 50V drain-source gerilim, 1.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 4-HVMDIP through-hole paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10V'da 200mOhm) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Gate şarj (13nC @ 10V) ve giriş kapasitanı (250pF @ 25V) düşük seviyededir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IRFD010, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Ancak bu bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 860mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok