Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBG30
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBG30
IRFBG30 Hakkında
IRFBG30, Vishay tarafından üretilen 1000V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 3.1A sürekli dren akımı kapasitesi ve 5Ω maksimum on-direnci ile güç yönetimi devrelerinde, doğrultucu uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 80nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama sağlar. Maksimum 125W güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. 10V drive voltage ile uyumlu kontrol devrelerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok