Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBG20PBF-BE3
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBG20PBF
IRFBG20PBF-BE3 Hakkında
IRFBG20PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile monte edilir. 10V gate drive voltajında 11Ω maksimum RDS(on) değerine sahip olup, güç elektroniği devreleri, anahtarlama uygulamaları ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 54W maksimum güç tüketimini tolere eder. Gate charge değeri 38nC olup hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 840mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok