Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBF30STRLPBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFBF30

IRFBF30STRLPBF Hakkında

IRFBF30STRLPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltaj desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 3.6A sürekli drain akımı kapasitesi ve 3.7Ω maksimum drain-source direnci ile güç elektronik devrelerinde anahtar görevi görebilir. TO-263 (D²Pak) paketlemesi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 125W maksimum güç dağılımı ve 78nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok