Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBF30STRL

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFBF30

IRFBF30STRL Hakkında

IRFBF30STRL, Vishay tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.6A sürekli dren akımı kapasitesine ve 3.7Ω maksimum on-direnç değerine sahiptir. 78 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahip bu MOSFET, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 125W güç tüketebilir. Endüstriyel güç kaynakları, anahtarlamalı regülatörler, UPS sistemleri ve yüksek voltaj kontrol uygulamalarında tercih edilir. Cihazın obsolete olduğu belirtilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok