Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBF30SPBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFBF30S

IRFBF30SPBF Hakkında

IRFBF30SPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V Drain-Source gerilim ve 3.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında 3.7Ω on-direnci ile karakterize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 125W güç dağıtabilir. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, SMPS (Switched Mode Power Supply), invertörler ve güç dönüştürücülerde kullanılır. 78nC gate charge ve düşük input kapasitansı hızlı komütasyon sağlar. Bileşen obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok