Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBF30S
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBF30S
IRFBF30S Hakkında
IRFBF30S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V Drain-Source gerilimi ve 3.6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V sürü voltajında 3.7Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge 78nC @ 10V'dir. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, endüstri uygulamaları ve yüksek voltaj dönüştürücülerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 125W güç disipasyonunu tolere edebilir. Not: Bu ürün kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok