Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBF20STRRPBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFBF20

IRFBF20STRRPBF Hakkında

IRFBF20STRRPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 1.7A sürekli drenaj akımı ile çalışabilir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 8Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan IRFBF20STRRPBF, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 38nC gate charge ve 490pF giriş kapasitanslı yapısı ile hızlı anahtarlama karakteristikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok