Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBF20STRR

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFBF20S

IRFBF20STRR Hakkında

IRFBF20STRR, Vishay tarafından üretilen 900V N-channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 38nC ve input kapasitansi 490pF olup, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, yüksek voltaj güç elektronikleri, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde kullanılmaktadır. ±20V gate-source voltaj toleransı vardır ve 3.1W (Ta) ile 54W (Tc) güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok