Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBF20SPBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFBF20S

IRFBF20SPBF Hakkında

IRFBF20SPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilim ve 1.7A sürekli drenaj akımı özelliğine sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve dönüştürme uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan transistör, 8Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan cihaz, -55°C ile 150°C arasındaki sıcaklık koşullarında güvenilir performans gösterir. Yüksek gerilim uygulamaları, anahtarlamalar ve PWM kontrol devreleri gibi endüstriyel elektrik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok