Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBF20S
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBF20S
IRFBF20S Hakkında
IRFBF20S, Vishay tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 8Ω RDS(on) değerine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan IRFBF20S, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 38nC gate charge ve düşük input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Cihazın şu anda üretim dışı (obsolete) olduğu belirtilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok