Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBF20PBF-BE3
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBF20PBF
IRFBF20PBF-BE3 Hakkında
IRFBF20PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220AB paketinde sunulan bu transistör, güç dönüşüm devreleri, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yer bulur. 8Ohm on-state direnci (RDS-on) ve 38nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlamaya uygundur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar ve 54W maksimum güç dağıtımına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok