Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBF20PBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFBF20

IRFBF20PBF Hakkında

IRFBF20PBF, Vishay tarafından üretilen 900V dayanıklı N-kanal MOSFET transistörüdür. 1.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması ve kontrol işlevleri için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan IRFBF20, 8Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 54W güç dağıtabilen bu transistör, endüstriyel şarjcılar, elektrik pano kontrolleri ve güç kaynaklarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (38nC) ve kontrollü input kapasitansı (490pF), hızlı anahtarlama uygulamalarına uygunluğu gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok