Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBF20L
MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBF20L
IRFBF20L Hakkında
IRFBF20L, Vishay tarafından üretilen 900V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 1.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devreleri, boost konvertörleri ve yüksek voltaj DC-DC dönüştürücülerinde kullanılmaktadır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bileşen, 8Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli komütasyon sağlamaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına ve ±20V maksimum gate gerilimi özelliklerine sahiptir. Yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans özelliğinden faydalanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok