Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBE30STRLPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBE30
IRFBE30STRLPBF Hakkında
IRFBE30STRLPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim kapasitesi ve 4.1A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketi ile PCB'lere doğrudan monte edilir. 3Ohm RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimumda tutarak enerji yönetim devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, 125W'a kadar güç yayabilen endüstriyel ve profesyonel elektronik sistemlerde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok