Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBE30SPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBE30
IRFBE30SPBF Hakkında
IRFBE30SPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 78nC gate charge ve 1300pF input kapasitansı hızlı komutasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Düşük gerilim kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok