Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBE30S
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBE30S
IRFBE30S Hakkında
IRFBE30S, Vishay tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketlemesinde sunulan bu bileşen, 4.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile açık devre direnci düşüktür. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) kullanılabilir. 125W maksimum güç yayılım kapasitesi ve 78nC gate charge değeriyle anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Yüksek gerilim uygulamaları, güç dönüştürücüler, boost konvertörleri ve high-side switch uygulamalarında kullanılır. Vgs(th) 4V @ 250µA'dir. NOT: Bu bileşen piyasadan kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok