Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBE30PBF-BE3
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBE30
IRFBE30PBF-BE3 Hakkında
IRFBE30PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kesme ve anahtarlama işlevlerini gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 4.1A sürekli dren akımı ve 125W güç tüketim kapasitesi ile güç dönüştürme devreleri, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. 3Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge özelliği hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok