Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBE30PBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBE30
IRFBE30PBF Hakkında
IRFBE30PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim dayanımı ve 4.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, invertör tasarımları ve motor kontrol uygulamalarında yer bulur. 3Ohm RDS(on) değeri ile iletim sırasında düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 125W'a kadar güç dağıtabilir. Gate charge değeri 78nC olup, hızlı anahtarlama gerekli uygulamalara uygun başlangıç noktasıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok