Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBE30LPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBE30L
IRFBE30LPBF Hakkında
IRFBE30LPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. İnverter devreleri, SMPS (Switch Mode Power Supply), motor kontrolü ve endüstriyel güç elektronikleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok