Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBE20PBF
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBE20
IRFBE20PBF Hakkında
IRFBE20PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarına uygun olup, 1.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 6.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrolü ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 38nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama davranışı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok