Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBE20
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBE20
IRFBE20 Hakkında
IRFBE20, Vishay tarafından üretilen 800V derecelendirilmiş N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü işlevleri için tasarlanmıştır. 1.8A sürekli dren akımı ve 6.5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile enerji dönüşüm devreleri, inverter topologyileri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 54W güç harcaması özelliğine sahiptir. Gate şarj değeri 38nC olup, hızlı anahtarlama gerektiren güç elektronik tasarımlarında yerini almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok