Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBC42R

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFBC42R

IRFBC42R Hakkında

IRFBC42R, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 5.4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu FET, 1.6Ω maksimum On-resistance değeri ile verimli anahtar işlemi sağlar. Gate charge değeri 60nC olup, hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 125W maksimum güç tüketimi, endüstriyel kontrol, elektrik motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanım için uygun özellikleri barındırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 3.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok