Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBC42
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBC42
IRFBC42 Hakkında
IRFBC42, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V drain-source gerilim dayanımı ve 5.4A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 1.6Ω on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge 60nC olup 10V drive voltajında çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 125W maksimum güç tüketim kapasitesine sahip IRFBC42, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok