Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFBC40AS
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFBC40
IRFBC40AS Hakkında
IRFBC40AS, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ve 6.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 125W güç harcanabilir. Gate charge değeri 42nC olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1036 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok