Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBC30S

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFBC30S

IRFBC30S Hakkında

IRFBC30S, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli dren akımı özellikleri ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi sistemlerinde sıkça tercih edilir. 2.2Ω maksimum kanal direnci (Rds On) ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 31nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Bileşen halen üretilmemektedir ancak eski projeler veya replasman uygulamalarında bulunabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok