Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBC30ASPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFBC30AS

IRFBC30ASPBF Hakkında

IRFBC30ASPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve SMPS (switch-mode power supply) uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 2.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olan bu MOSFET, 74W'a kadar güç yayma kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok