Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBC30AS

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFBC30AS

IRFBC30AS Hakkında

IRFBC30AS, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 2.2Ω (10V, 2.2A koşullarında) maksimum on-state direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 74W güç tüketebilir. Gate charge değeri 23nC @ 10V olup, giriş kapasitansi 510pF @ 25V'dir. Yüksek gerilim anahtarlama, invertör devreleri ve endüstriyel otomasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu bileşen üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok