Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBC20S

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFBC20S

IRFBC20S Hakkında

IRFBC20S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama devrelerinde yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 4.4Ω maksimum on-direnci (Rds On) sağlayarak verimli iletim özelliği gösterir. Surface mount D²PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. 18nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve enerji yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Dikkat: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok